1. Осипов А. А. Разработка технологии скоростного глубокого плазмохимического травления монокристаллического кварца, карбида кремния и ниобата лития при малой мощности: дис. … канд. техн. наук. СПб., 2019. 146 с. EDN: RJHJLN.
Osipov A. A. Development of technology for high-speed deep plasma-chemical etching of single-crystal quartz, silicon carbide and lithium niobate at low power: diss. for the Cand. Sci. (Eng.).St. Petersburg, 2019. 146 p. (InRuss.).
2. Амиров И. И. Плазменные процессы формирования высокоаспектных структур для микро- и наномеханических устройств: дис. … д-ра физ.-мат. наук. М., 2010. 300 с.
Amirov I. I. Plasma processes of formation of high-aspect structures for micro- and nanomechanical devices: diss. for the Dr. Sci. (Phys.-Math.). Moscow, 2010. 300 p. (InRuss.).
3. Зотович А. И. Деградация нанопористых диэлектриков в высокочастотной плазме и способы ее уменьшения: дис. … канд. физ.-мат. наук. М., 2018. 162 с.
Zotovich A. I. Degradation of nanoporous dielectrics in high-frequency plasma and methods for its reduction: diss. for the Cand. Sci. (Phys.-Math.).Moscow, 2018. 162 p. (InRuss.).
4. Данилкин Е. В. Исследование и оптимизация процесса реактивно-ионного травления углублений в кремнии для формирования мелкощелевой изоляции: дис. … канд. техн. наук. М., 2008. 166 с.
Danilkin E. V. Research and optimization of the process of reactive ion etching of cavities in silicon for the formation of fine grid insulation: diss. for the Cand. Sci. (Eng.). Moscow, 2008. 166 p. (InRuss.).
5. Коняев И. В. Кинетика и механизмы плазмохимического травления танталата лития: автореф. дис. … канд. техн. наук. Воронеж, 2019. 19 с.
Konyaev I. V. Kinetics and mechanisms of plasma-chemical etching of lithium tantalite: extended abstract of diss. for the Cand. Sci. (Eng.). Voronezh, 2019. 19 p. (InRuss.).
6. Спешилова А. Б. Разработка технологии формирования фоторезистивных пленок прецизионной толщины с минимальной шероховатостью поверхности плазмохимическим травлением: дис. … канд. техн. наук. СПб., 2019. 131 с.
Speshilova A. B. Development of technology for the formation of photoresist films of precision thickness with minimal surface roughness by plasma-chemical etching: diss. for the Cand. Sci. (Eng.).St. Petersburg, 2019.131 p. (In Russ.).
7. Чаплыгин Ю. И. (ред.). Нанотехнологии в электронике. Вып. 2. М.: Техносфера; 2013. 686 с.
Chaplygin Yu. A. (ed.). Nanotechnology in electronics.Iss. 2. Moscow: Tekhnosfera Publ.; 2013. 686 p. (In Russ.).
8. Pu Y. Plasma etch equipment. In: Handbook of Integrated Circuit Industry.Eds Y. Wang, M.-H. Chi, J. J.-Ch. Lou, Ch.-Zh. Chen.Singapore: Springer; 2023, pp. 1441–1493.
https://doi.org/10.1007/978-981-99-2836-1_68
9. Киреев В. Ю. Введение в технологии микроэлектроники и нанотехнологии. М.: ЦНИИХМ; 2008. 431 с. EDN: QMUGFZ.
Kireev V. Yu. Introduction to microelectronics and nano-technologies. Moscow: Central Scientific Research Institute of Chemistry and Mechanics Publ.; 2008. 431 p. (In Russ.).
10. Orlov A. A., Rezvanov A. A., Gvozdev V. A., Orlov G. A., Seregin D. S., Kuznetsov P. I. et al. Dielectric barrier in the subtractive process of forming a copper metallization system. Russ. Microelectron. 2022;51:470–479.
https://doi.org/10.1134/S106373972270010X
11. Хорин И. А. Технологии электронной компонентной базы: учеб.пособие. Саратов: АйПиЭрМедиа; 2018. 275 с.
Khorin I. A. Electronic component technologies: study guide. Saratov: IPR Media; 2018. 275 p. (In Russ.).
12. Yan Wang, Qiuhua Han, Haiyang Zhang. Poly-Si planarization by ICP plasma etch at FinFET technology. ECS Trans. 2017;77(3):71.
https://doi.org/10.1149/07703.0071ecst
13. Киреев В. Ю. Нанотехнологии в микроэлектронике. Нанолитография – процессы и оборудование. Долгопрудный: ИД Интеллект; 2016. 320 с.
Kireev V. Yu. Nanotechnologies in microelectronics. Nanolithography – processes and equipment. Dolgoprudnyi: IDIntellektPubl.; 2016. 320 p. (InRuss.).
14. Горобчук А. Г. Математическое моделирование плазмохимических технологий микроэлектроники: дис. … д-ра физ.-мат. наук. Новосибирск, 2016. 308 с.
Gorobchuk A. G. Mathematical modeling of plasma-chemical microelectronics technologies: diss. for the Dr. Sci. (Phys.-Math.). Novosibirsk, 2016.308 p. (In Russ.).
15. Taku Iwase. Plasma etching mechanisms in the fabrication of high-aspect-ratio microstructures in stacked layers of different materials: doctoral diss. Osaka, 2019. 90 p.
https://doi.org/10.18910/73566
16. Einspruch N. G., Brown D. M. (eds). Plasma processing for VLSI.Vol. 8. London, N. Y.: AcademicPressPubl.; 1984. 544 p.
17. Галперин В. И., Данилкин Е. В., Мочалов А. И. Процессы плазменного травления в микро- и нанотехнологиях: учеб. пособие. 3-еизд. М.: БИНОМ. Лабораториязнаний; 2013. 283 с. EDN: SDSYQZ.
Galperin V. A., Danilkin E. V., Mochalov A. I. Plasma etching processes in micro- and nanotechnologies: study guide. 3rd ed. Moscow: BINOM. Laboratoriya znaniy; 2013.283 p. (In Russ.).
18. Горобчук А. Г. Численноемоделированиеплазмохимическихреакторовтравления: дис. … канд. физ.-мат. наук. Новосибирск, 2003. 222 с.
Gorobchuk A. G. Numerical modeling of plasma-chemical etching reactors: diss. for the Cand. Sci. (Phys.-Math.).Novosibirsk, 2003. 222 p. (InRuss.).